/Общоакадемически семинар „Функционални полупроводникови структури с хетеропреходни съгласуващи области“

Общоакадемически семинар „Функционални полупроводникови структури с хетеропреходни съгласуващи области“

На 27 септември 2017 г. (сряда) от 15.00 ч. в Големия салон на БАН-Администрация (ул. „15-ти ноември“ № 1) ще се проведе поредната сбирка на Общоакадемическия семинар „Актуални проблеми на науката“. На сбирката акад. Ангел Попов от Отделението за природо-математически науки ще представи своята монография на тема: „Функционални полупроводникови структури с хетеропреходни съгласуващи области“, чието резюме е следното:

„Получаване, изследване и приложения на А3В5 твърди разтвори с  хетероструктури или възможни комбинации с  други полупроводникови материали. Като основа са използвани оригинални публикации на автора с негови сътрудници, представящи нови физични модели с участието на точкови структурни дефекти и формиране на електрически активни клъстери и комплекси. Всички разглеждани структури са получавани с помощта на епитаксиални технологии от газова или течна матерински фази върху подложки от бинарни А3В5 съединения. Различието между решетъчните параметри на полупроводниковата подложка и   активния епитаксиален слой се компенсира чрез едновременното  израстване на преходна област с градиентен химичен състав между тях.

На практика в квантовомеханично отношение тя е единна система от стъпаловидни хетеропреходи,  които имат собствена зонна структура, разположена между зонните структури на подложката и крайния активен епитаксиален слой. При конструиране на активен полупроводников прибор върху този слой преходната област освен контактна и компенсираща роли има и функционални функции като ограничителни квантови бариери за токовите носители. Тези активни квантови бариери съществуват и в случаите, когато   няма разлика между решетъчните параметри на подложката и крайния слой. Тогава не възникват компенсиращи дислокации на несъответствие, но поради различие на еластичните параметри се генерират механични напрежения, които създават интегрална напрегната структура.

Най-често полупроводниковите хетероструктури изпълняват комбинирани функции, най-важната от които е квантовомеханичната в съчетание със структурно-компенсираща, а втората е възможност за конструиране на нови класове прибори от полупроводникови материали, върху които е невъзможно формирането на р-n  преходи. В това се крие голямата практическа полза от комплексните изследвания, проведени в настоящия труд в светлината на бързоразвиващите се нанотехнологии  и получаване на наноматериали.“