/Високоефективни слънчеви елементи на основата на многопреходни епитаксиални А3В5 хетероструктури
Високоефективни слънчеви елементи на основата на многопреходни епитаксиални А3В5 хетероструктури 2018-01-03T13:22:13+00:00

Project Description

Високоефективни слънчеви елементи на основата на многопреходни епитаксиални А3В5 хетероструктури

Проектът Високоефективни слънчеви елементи на основата на многопреходни епитаксиални А3В5 хетероструктури се разработва на база участие в следните два европейски проекта:

  • Перспективни материали за следваща генерация слънчеви елементи- договор ФНИ – ДКОСТ-01/ 16 и
  • Multiscale in modeling and experimental validation for solar photovoltaics MP1406 – по програма COST, Брюксел.

По метода на нискотемпературната течна епитаксия се израстват четири- и петкомпонентни съединения от разредени нитриди InGaAsN, InGaAsSbN изорешетъчни с GaAs. Използват се различни методи XRD, EDX, SIMS за изучаване на кристалографската структура и определяне на състава на получените епитаксиални слоеве.

Още проекти:

Период: 2016-2017/2015-2019

Цел:
Израстват се четири- и петкомпонентни съединения от разредени нитриди InGaAsN, InGaAsSbN изорешетъчни с GaAs.

Финансиране:
Фонд Научни изследвания, МОН/COST

Участник от страна на БАН:
Централна лаборатория по приложна физика – Пловдив

Ел. поща за контакт:
milanovam@yahoo.com

Лице за контакт:
Малина Миланова, ръководител на проекта